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      電阻率測試儀(RESmap )

      • 更新時間:  2024-03-04
      • 產品型號:  RESmap-1
      • 簡單描述
      • 電阻率測試儀(RESmap )在對低電阻率晶錠和晶圓進行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復性 Si | Ge | 化合物半導體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
      詳細介紹

      電阻率測試儀(RESmap )在對低電阻率晶錠和晶圓進行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復性Si | Ge | 化合物半導體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]    

             


      電阻率測試儀(RESmap )特征


      電阻率的非接觸式測量和成像高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化
      信號靈敏度基于線圈頻率讀數的高信號靈敏度,可實現準確可靠的電阻率測量,并具有高再現性和可重復性
      測量時間測量時間 < 3 s,測量之間時間 < 1 s
      測量速度200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s,9個點
      多點測量及測繪顯示不超過9999個點
      材料外形尺寸平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜
      X-Y位置分辨率≥ 0.1mm
      邊緣扣除 5 mm
      可靠性模塊化、緊湊的臺式儀器設計,可靠性高,正常運行時間 > 99%
      電阻率測量的重復性≤ 0.15%,基于使用ANOVA   Gage R&R方法對材料系統分析(MSA)














      更多技術規格和配置選項:  


      為自動化流程做準備

      可用于不同的平臺

      測量方法符合

      SEMI MF673標準

      數據及數據有效性檢查

      使用NIST標準

      校準精度

      ±1%

      集成紅外溫度傳感器 ±0.1°

      允許報告標準溫度下的電阻率,(與樣品的實際溫度不同)

      樣品厚度校準

      對于高頻信號穿透深度大于穿透深度的樣品

      電力要求

      100-250 VAC, 5 A

      尺寸

      465 ′ 550 ′ 600 mm

      軟件控制

      配備Window10或新版本的標準PC,2個以太網端口

















      用戶友好且先進的操作軟件:        

      ◇  電阻率測量配方;        

      ◇  導出/導入功能和原始數據訪問;        

      ◇  多級用戶賬戶管理;

      ◇  所有執行的測量概覽;

      ◇  繪圖選項(線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義圖案);

      ◇  分析功能包;統計、方差分析、溫度校正函數和數據庫;

      ◇  遠程訪問;基于互聯網的系統允許在世界任何地方進行遠程操作和技術支持;


          電渦流傳感器的測量原理


      中心處可實現較大的準確性和精確度




      4H-SiC晶圓整個生長面區域的電阻率變化測量


      硅晶圓電阻率變化測量 — 面掃描、分布和線掃描  



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